摘要：
2的10次方等于1024即1K（看做是数量单位）,主要用来表示地址线的所有组合数量半导体存储器的结构：片选信号的作用：可以让某个芯片或者某些芯片同时进行工作半导体芯片的译码驱动方式：解决的问题是：如何根据给定的地址信号获得对应的存储单元1）线选法，将存储单元的地址像一位数组那样编址，不适用与容量大的存储器，因为容量过大时，地址线就要很多很多2）重合法，相比线选法，多了行地址和列地址的概念，将存储单
2的10次方等于1024 即1K（看做是数量单位）,主要用来表示地址线的所有组合数量
半导体存储器的结构：
片选信号的作用：可以让某个芯片或者某些芯片同时进行工作
半导体芯片的译码驱动方式：
解决的问题是：如何根据给定的地址信号获得对应的存储单元
1）线选法，将存储单元的地址像一位数组那样编址，不适用与容量大的存储器，因为容量过大时，地址线就要很多很多
2）重合法，相比线选法，多了行地址和列地址的概念，将存储单元像二维矩阵那样编址，同时行地址和列地址某个时刻只能有一个有效。适用于大容量的存储器
---------有了以上基本呢知识就可以针对每一种存储器进行分析了
随机存取存储器（RAM）
静态RAM（SRAM）：基本单元电路(只能存储1为数据，实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图，主要存储数据的是双稳态触发器
静态RAM基本单元电路的读操作：
静态RAM基本单元电路的写操作：需要在T1-T4构成的电路的A端和A‘端写入相反的数据（要求）
动态RAM（DRAM）:基本单元电路(只能存储1为数据，实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图，主要存储数据的是利用电容的充电房放电。读取的数据和存储的数据相反，所以需要在读数据线上加上非门，图下是三管的，还有单管的
由于DRAM是由电容来存储数据，具有易失性，所以使用的时候需要刷新，且刷新只与行地址有关，与列地址无关，也就是说刷新是一次性刷新一行的存储单元的数据。由于DRAM的行列地址可以缓存起来，所有DRAM的引脚数相比SRAM更少。具体的DRAM和SRAM的对比如下图：
所以一般的内存用的是DRAM，而内存与cpu之间的高速缓存用的是SRAM