闪存

NOR型flash与NAND型flash的区别

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字...

如何对西数硬盘固件进行逆向分析(下)

这篇文章其实是有很多个小部分,为了大家阅读方便,我将其整合成了上下两个部分(第一部分),其中有一些地方翻译起来较为困难(老外废话真的很多),望各位嘴下留情。 启动代码貌似只是分布在不同的内存地址,但没有什么简单的办法能够将它们全部导出,所以我决定从内存的0×00000000开始导出区块然后所有的都来引用这个区块的外部地址(建立一个基本的代码地图)。 虽然硬...

Flash、RAM、ROM的区别

一、 ROM(Read Only Memory) ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM; EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节...

高端存储发展趋势

1. 高端存储的技术发展趋势 松耦合 高端存储刚出现的时候,采用的是紧耦合的多控体系架构。紧耦合架构的特点就是所有的资源都是物理集中在一起的,这些资源通常包括前端接口,后端接口和Cache,一般都插在一个大机箱里。随着技术的发展,特别用户对总体拥有成本(TCO)和可扩展性的追求,现在的高端存储厂商大部分采用了松耦合的多控体系架构。它们都有一个特点,每...