摘要：
在实际项目中，芯片的内部FLASH空间往往不足，这需要将程序部分安装到外部FLASH中。可以添加FLASH算法。起始地址根据硬件连接和芯片配置确定，大小根据外部FLASH的实际大小确定。在这种变化下，文件被单独加载，代码被分为几个部分到外部FLASH。注意不要将初始化外部FLASH的代码放入外部FLASH，这会导致读取错误。外部FLASH的初始化代码应放在存储在外部FLASH中的代码前面。
在实际项目中，常常出现芯片的内部FLASH空间不够的情况，这就须要将程序分一部分装到外部FLASH中。
为了让大家能少走些弯路，在这里把我在这当中遇到的一些问题和经验教训给大家分享一下。
仅供參考，假设有错误的地方欢迎指正，提前表示感谢！
转载请注明出处：blog.csdn.net/waitig1992
- 硬件环境介绍
芯片是LPC1788，外部FLASH是SST39VF1601（NORFLASH）。
这个norflash在我的版本号的keil（v4.0）中没有烧写算法，须要自己手动编写烧写算法。详细步骤我会在以后写出来。
- 加入烧写算法
打开project的Options菜单，在里面选择Utilities选项卡，configure里选择第一项。这一项的意思是“为FLASH项目使用目标驱动”，以下一项的意思是“为FLASH项目使用外部工具”，普通情况下我们是用jlink调试，keil里有内置的驱动。所以选这一项。
然后点击settings。例如以下图：
然后就会出现关于烧写算法的菜单：
在这个菜单下点击add。可加入FLASH的烧写算法。
- 选择烧写算法
能够在例如以下图所看到的窗体中选择须要的烧写算法：
假设当中有你想要的算法。直接选择，然后点击add，就可以算法加入进去；假设没有。则必须自己手动编写烧写算法。
编写算法的步骤我会在以后介绍，在此不做过多说明。你的算法编写成功后，也会在这个菜单里显示出来，直接选择就可以。
- 改动起始地址和大小
加入成功后，在下图所看到的的页面改动其起始地址和大小。
起始地址依据硬件连线情况和芯片的配置确定，大小依据外部FLASH的实际大小确定。
配置完毕后，点击确定就可以。
- 编写jlink配置文件
将烧写算法配置完毕后，须要编写jlink的配置文件。这是为了在下载程序时给jlink使用的。主要是初始化引脚和配置读取时延的操作。
我项目的配置文件例如以下，给大家提供下參考：
FUNC void PinSel(int p1, int n1, int f1)
{
_WDWORD(0x4002C000 + (p1 * 32 + n1) * 4, 0x8 | f1);
}
FUNC void InitNORFlash(void)
{
int i;
PinSel(2,16,1);
PinSel(2,17,1);
PinSel(2,18,1);
PinSel(2,20,1);
PinSel(2,24,1);
PinSel(2,28,1);
PinSel(2,29,1);
PinSel(2,30,1);
PinSel(2,31,1);
for(i = 0; i < 32; i++)
PinSel(3,i,1);
for(i = 0; i < 21; i++)
PinSel(4,i,1);
PinSel(4,24,1);
PinSel(4,25,1);
PinSel(4,30,1);
PinSel(4,31,1);
/* PCONP |= 1 << 11 */
_WDWORD(0x400FC0C4, 0x04288FDE); // Power On EMC
/* EMCCONTROL |= 1 */
_WDWORD(0x2009C000, 0x00000001); // Enable EMC
/* EMCDLYCTL */
_WDWORD(0x400FC1DC, 0x00081818); // Config data read delay
/* EMCCONFIG */
_WDWORD(0x2009C008, 0x00000000); // Little endian mode
/* STATICCONFIG1 */
_WDWORD(0x2009C220, 0x00000081); // 16bit data width
// Disable asynchronous page mode
// Read when active bits are low
// No extend wait
/* STATICWAITWEN1 */
_WDWORD(0x2009C224, 0x00000002); // WaitWEn
/* STATICWAITOEN1 */
_WDWORD(0x2009C228, 0x00000002); // WaitOEn
/* STATICWAITRD1 */
_WDWORD(0x2009C22C, 0x0000001F); // WaitRd
/* STATICWAITPAGE1 */
_WDWORD(0x2009C230, 0x0000001F); // WaitPage
/* STATICWAITWR1 */
_WDWORD(0x2009C234, 0x0000001F); // WaitWr
/* STATICWAITTURN1 */
_WDWORD(0x2009C238, 0x0000000F); // WaitTurn
_sleep_(100);
}
这是用到的函数，配置文件例如以下：
INCLUDE SST39VF1601.ini InitNORFlash(); // Initialize memory
在下图所看到的的选项卡中的init File 选项中选中配置文件，就可将配置文件加入进去；
- 配置分散载入文件
一般经过以上的步骤以后。外部FLASH就能够像内部FLASH一样工作了。
改动下分散载入文件，将代码分一部分给外部FLASH就能够了。
注意不要把初始化外部FLASH的代码放到外部FLASH里面，那样会导致读取错误。并且要把外部FLASH的初始化代码放到存入外部FLASH的代码的前边。（有点拗口，没办法，语文学得不好。。。）
只是芯片读取外部FLASH会有一定的时延，所以导致执行会相对慢一些，建议大家尽量把不重要的代码放入外部。
- 可能遇到的问题及解决
这样配置完毕后。有些朋友可能会遇到以下的问题：
build output框中会出现这种提示：“
Insufficient RAM for Flash Algorithms !"
这是由于烧写算法也是须要空间的。可是分配的RAM太少。导致烧写算法载入失败。
解决方法：将下图所看到的的RAM空间改大些就可以。
- 经过以上的步骤，基本上就能够成功了。假设当中有错误的地方，希望大家能够帮忙指正，提前表示感谢！假设还有其它问题，能够一起讨论。共同进步！
（以上仅供參考）
转载请注明出处：blog.csdn.net/waitig1992
顺便给自己的个人博客 做个广告：等英博客
顺便给自己的个人博客 做个广告：等英博客