摘要：
DRAM是动态随机存取存储器，SRAM是静态数据随机存取存储器。SRAM中的每个位存储在由四个FET组成的两个交叉耦合反相器中。一个SRAM基本模块具有0和12个稳定的脉冲信号。SRAM基本模块由两个CMOS反相器组成。
大家都了解，CPU是负责计算和处理的，而存储器则是负责互换数据信息的。有些人是那么形容的，说CPU便是技术工程师自己，运行内存就好像操作台，必须妥善处理的物品必须先取得工作中台子上才便捷解决。那么硬盘是什么呢？电脑硬盘如同木柜，储放电子元器件仪器设备用的库房，存物品。
存储器有两个基础的组成模块，充足了解SRAM和DRAM这两个定义及其电路原理，针对学习工具CPU架构及其DDR十分有效。DRAM便是动态随机存储器，SRAM是静态数据随机存储器。这一动一静的实质是什么呢？先说静态数据随机存储器，它是运用如D触发器的构造来进行数据信息的载入与载入的，材料的载入不用刷新动作，那样不用更新动作的就变成静态数据。那样促使控制系统设计非常简单，存储的速率比DRAM快许多。适用于于髙速储存的应用领域例如CPU的cache缓存文件。
了解完静态数据随机存储器以后，动态性随机存储器就比较好了解。动态性是指运用电容器的蓄电池充电来完成材料的载入与载入姿势，由于电容器会渐渐地充放电，假如充放电到阀值下列，数据信息很有可能便会遗失了，因而必须每过一段时间来做更新的姿势，以维持材料的一致性。最普遍的便是手机上和电脑上的运行内存了。
1、第一层了解—一个D触发器组成非常简单SRAM
首先从最基本数字电路设计开始。有一个很基础且深刻的认识：SRAM cell最简单的构成单元就是一个D触发器，如下图所显示的D触发器是数字电路设计系统软件里边的一个基础模块。
1bit的SRAM模块的关键电源电路便是一个D触发器。当有power存有的情况下，由于D触发器的特点，数据信息能够储存，不用刷新。触发器原理是具备记忆力作用的，具备2个平稳的信息内容存储状态。D触发器的特点方程组是：Q(n+1)=D；也就是记忆力前一个情况，能够从RS触发器考虑，写一下真值表，测算就很好了解了。
2、第二层了解—4个多管组成的SRAM
随后，可以用基础晶体三极管方面来构建一个简易的SRAM模块，只是由4个NMOS管和2个电阻器组成的。
3、第三层了解--6管多管组成的SRAM
最终，能够从IC的生产制造方面看来。实际上绝大多数与第二层类似，仅仅M2与M4用PMOS替代。SRAM中的每一bit储存在由四个场效管（M1,M2,M3,M4）组成2个交叉耦合的反相器中。此外2个场效管（M5，M6）是储存基础模块到用以读写能力基准线（BitLine）的自动开关。
一个SRAM基础模块有0和12个脉冲信号平稳情况。SRAM基础模块由2个CMOS反相器构成。2个反相器的键入、輸出交叉式联接，即第一个反相器的輸出联接第二个反相器的键入，第二个反相器的輸出联接第一个反相器的键入。这就能完成2个反相器的輸出情况的锁住、储存，即储存了一个位元的情况。
